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电磁波电磁屏蔽帐篷厂家直销_防辐射军需用品-德州安盾电子有限公司

  • 产品名:电磁屏蔽帐篷
  • 产品价格:面议
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产品说明

  (3)防电磁辐射伤害!(4)防远红外热成像!(5)防风、防雨、防晒、防紫外线辐射、抗雪灾、抗电子脉冲。(6)具有良好的保温隔热性能,可以同时在热带和寒区等任意恶劣条件下使用。(7)电子保密性好,抗电磁干扰和电磁设备攻击能力强,平均屏蔽效能≥60dB对场地适用性强,受场地、气候环境等影响小;采用支架;组装灵活,拆卸携带快捷、方便,机动性好;重量轻,选择质地较轻的屏蔽材料.现代要求指挥信息畅通、快捷、安全,过去逐级下达命令的纵向指挥体系已被立体指挥体系所取代,野战通信节点已成为作战指挥系统不可分割的一部分,保证野战通信节点信息安全成为迫切需要解决的问题!

  在帐篷内的电子设备能抗御外部电磁辐射的干扰,同时也不会对外部产生电磁辐射.该产品具有安全可靠,便于安装、拆卸和携带等特点,适用于野外作战及野外作业环境,可有效地抑制电子设备电磁泄漏,保护信息安全,增强电子设备抗电磁干扰及电子对抗能力!帐篷底为四层结构,外层为迷彩布,中间二层为屏蔽布,内层为军绿帆布;其余五面为两层或三层结构,内层为二层屏蔽布,外层为迷彩布,具体结构需根据客户使用场合确定。屏蔽效能高、重量轻、便携、撑卸方便快捷是电磁屏蔽帐篷的主要优势。

  采用轻型屏蔽材料制造的便携式电磁屏蔽帐篷,其结构分为三层或四层以上,外层为迷彩布,中间层(一层或二层以上)为屏蔽布,内层为军绿帆布,帐篷门采用双层防辐射/电磁屏蔽粘扣带与帐篷体连接。在帐篷内的电子设备能抗御外部电磁辐射的干扰,同时也不会对外部产生电磁辐射.该产品具有安全可靠,便于安装、拆卸和携带等特点,适用于野外作战及野外作业环境,可有效地抑制电子设备电磁泄漏,保护信息安全,增强电子设备抗电磁干扰及电子对抗能力。

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电磁波电磁屏蔽帐篷厂家直销


重庆哪里有屏蔽帐篷多少钱_磁屏蔽帐篷相关-德州安盾电子有限公司

  传统的电磁屏蔽帐篷在解决这些问题上有很多不足,首先,传统帐篷只在频率30MHz以上的波段能起到屏蔽作用,而且屏蔽效能有限,达不到高层次的信息安全要求;其次,传统帐篷比较笨重,携带和使用不便,安装繁琐,不适应现代的灵活使用需要。而我司自主设计研发的轻便型电磁屏蔽帐篷可以解决现代通信中的这些问题!此电磁屏蔽帐篷,其特征在于:该电磁屏蔽帐篷包括支架、内层绿布、屏蔽层和外层迷彩布;采用轻型屏蔽材料制造的便携式电磁屏蔽帐篷,其结构分为三层或四层以上,外层为迷彩布,中间层(一层或二层以上)为屏蔽布,内层为军绿帆布,帐篷门采用双层防辐射/电磁屏蔽粘扣带与帐篷体连接!

  电磁屏蔽帐篷上使用的专利产品电磁屏蔽粘扣带(专利号ZL201120382370),取代传统的拉链方式,从而保证屏蔽无泄漏!现代要求指挥信息畅通、快捷、安全,过去逐级下达命令的纵向指挥体系已被立体指挥体系所取代,野战通信节点已成为作战指挥系统不可分割的一部分,保证野战通信节点信息安全成为迫切需要解决的问题。传统的电磁屏蔽帐篷在解决这些问题上有很多不足,首先,传统帐篷只在频率30MHz以上的波段能起到屏蔽作用,而且屏蔽效能有限,达不到高层次的信息安全要求;其次,传统帐篷比较笨重,携带和使用不便,安装繁琐,不适应现代的灵活使用需要!

  因此有必要研制一种高屏效、安装简单、携带方便的轻型电磁屏蔽帐篷.而我司自主设计研发的轻便型电磁屏蔽帐篷可以解决现代通信中的这些问题。此电磁屏蔽帐篷,其特征在于:该电磁屏蔽帐篷包括帐篷骨架、侧支架、侧支架顶架、帐篷内层、屏蔽层和防雨外层;所述帐篷骨架为尖顶结构,包括主体支架和主体顶架;所述帐篷内层置于所述帐篷骨架的内侧,所述帐篷内层材料为电磁屏蔽布,以构成帐篷内部电磁屏蔽空间,所述帐篷内层的内侧可悬挂其他物件;所述帐篷内层上设有屏蔽门,屏蔽门与电磁屏蔽帐篷五面体的连接主要采用电磁屏蔽粘扣带进行粘接固定,防止电磁泄露;帐篷底一般为四层结构,外层为迷彩布,中间二层为屏蔽布,内层为军绿帆布;其余五面为两层或三层结构,内层为二层屏蔽布,外层为迷彩布,具体结构需根据客户使用场合确定。

电磁波屏蔽和吸波材料
电磁波屏蔽材料,是起阻止电磁波通过的作用,主要保护屏蔽材料后方区域不受外部传递来的电磁波影响如战斗机上的电子仪器设备,需要使用电磁屏蔽,保护电路工作不受外来信号影响;吸波材料,主要用于减少对电磁波的反射,使照射到其上的电磁波如“泥牛入海”,毫无声息,如战斗机表面,使用吸波材料,雷达发射的电磁波照射到其表面时,难以反射,雷达便接收不到反射信号,飞机被隐身。屏蔽材料主要让电磁波不通过,可以将其反射到其他方向;吸波材料主要是不让电磁波在其表面反射。
电磁辐射屏蔽网
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一道高中物理电磁问题
解:(1)由P=U*U/R得, U=(PR)开根号=200v ∴两极板间得电场强度为 E=U/d=1000v/m 由evB=eE得 v=E/B=200m/s (2)由左手定则判定,是正离子打在下极板上。 由(1)可算得I=U/R=0.5A ∴Q=It=0.5A*1s=0.5c,即每秒有0.5库的正离子打在下极板上 ∴n=0.5/1.6*10(-19)=3.125*10(18)
智慧城市成功发展的关键因素是人才,印度政府部门采取了一系列措施培养和吸引高端人才,扶持、加强原有正规的理工技术学院在信息技术及软件产业高级人才培养方面的传统优势。同时还在中学、大专院校开设不同层次的电脑软、硬件课程,形成多层次的人才培训体系,以满足智慧产业发展的多种需求。自20世纪80年代以来,历届政府都在税收、股权、金融扶持、工资待遇、来去自由、创业辅导、子女教育等方面制定了一整套优惠政策,吸收了大批科技人才到班加罗尔工作或创业,主要集中在班加罗尔软件科技园。


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