放大原理发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie.同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic！

　　按结构分:NPN、PNP.如图所示：c。按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等!d!按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e。按工作频率分：低频管、高频管、超频管f。按结构工艺分：合金管、平面管g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管特征频率当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能！如果工作频率大于fT,电路将不正常工作！fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT!

　　可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇.“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面“三极管”的英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词初所指的物品.其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode！电子三极管Triode（俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT（BipolarJunctionTransistor）J型场效应管JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）！

　　 如果您看到这段话，说明您对我们三极管感兴趣，不要犹豫，给我们一个机会，也给自己一个机会。 拿起手机来拨打我们的电话。自然等待着您的每一次致电：13580963385 让东莞市青桔子电子科技有限公司为您服务， 我们在广东省东莞市寮步镇仁居路1号松湖智谷产业园A5栋1602室这里等您。

　　要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源!在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：先假设三极管的某极为“基极”，将黑表笔接在假设基极上，再将红表笔依次接到其余两个电极上，若两次测得的电阻都大(约几K到几十K)，或者都小(几百至几K)，对换表笔重复上述测量，若测得两个阻值相反(都很小或都很大)，则可确定假设的基极是正确的!

　　 东莞市青桔子电子科技有限公司是一家专注其他三极管的企业，在三极管领域深耕十几年，对于三极管，有着敏锐的市场嗅觉，丰富的优化经验，扎实的技术团队。秉承互利互惠，合作双赢的理念，坚持客户至上，信誉的原则。致力于从多渠道，多方位，多平台为客户提供的三极管服务，并受到了客户的一致好评。

三极管参数

　　否则另假设一极为“基极”，重复上述测试，以确定基极！当基极确定后，将黑表笔接基极，红表笔接其它两极若测得电阻值都很少，则该三极管为NPN，反之为PNP!判断集电极C和发射极E，以NPN为例：把黑表笔接至假设的集电极C，红表笔接到假设的发射极E，并用手捏住B和C极，读出表头所示C，E电阻值，然后将红、黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小，说明原假设成立.理论原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管.

　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管.VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管！a。按材质分:硅管、锗管b!