另一种击穿为雪崩击穿!当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对!新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏!反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流.反向电流越小，管子的单方向导电性能越好.

　　如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了!因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高!反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿.如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿!

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　　在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通.叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0。1V.硅二极管的正向导通压降约为0。6~0!8V，锗二极管的正向导通压降约为0!2~0.3V！反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流！

　　N型半导体形成的原理和P型原理相似！在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。

　　动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比.电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量！高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率！因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成!所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小.若是超过此值！则单向导电性将受影响!大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关!

　　东莞市青桔子电子科技有限公司是一家其他二极管企业，关于二极管，公司具有多年的从业经验，可以给客户提供多种解决方案， 公司秉承着诚信互惠的经营理念，主营产品二极管获得客户一致好评，如果您想了解二极管的更多细节，请与我们取得联系，东莞市青桔子电子科技有限公司期待为您提供服务。

质量好二极管符号

　　稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性。光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管.它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照!其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加.

　　面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大!稳压管稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用.稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态!通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。