要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源.在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：先假设三极管的某极为“基极”，将黑表笔接在假设基极上，再将红表笔依次接到其余两个电极上，若两次测得的电阻都大(约几K到几十K)，或者都小(几百至几K)，对换表笔重复上述测量，若测得两个阻值相反(都很小或都很大)，则可确定假设的基极是正确的。

　　 东莞市青桔子电子科技有限公司青桔子电子科技，我们巍峨耸立于广东省东莞市寮步镇仁居路1号松湖智谷产业园A5栋1602室，我们在这里等待您的到来。 也可以通过电话联系： 联系方式:13580963385 联系人:自然 致电我们，有意向不到的惊喜!

　　如右图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb!在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流!

　　而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）.两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。

8550三极管测试

　　α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系!α=△Ic/△Ie表达式中的α为交流共基极电流放大倍数.同理α与α1在小信号输入时相差也不大.对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化！[3]三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用!

　　按结构分:NPN、PNP！如图所示：c。按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。d!按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管f.按结构工艺分：合金管、平面管g。按安装方式:插件三极管、贴片三极管特征频率当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能!如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT.

　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管.VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异！VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。a。按材质分:硅管、锗管b！