N型半导体形成的原理和P型原理相似!在本征半导体中掺入五价原子，如磷等.掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子.在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子！PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏!

　　在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压.当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通!叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0!5V，锗管约为0!1V!硅二极管的正向导通压降约为0。6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0。2~0！3V!反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流！

　　二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件.它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通.当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止！因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开!二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛.特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能!

　　动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比!电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量!高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成！所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小！若是超过此值！则单向导电性将受影响.大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关.

发光 二极管电流

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　　当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压.当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。