欣源科技（北京）有限公司多功能原子层沉积系统ALD(AtomicLayerDeposition)原子层沉积ALDALD原子层沉积镀膜atomiclayer原子层沉积Roll-to-Roll原子层沉积Roll-to-RollALD原子层沉积RolltoRoll原子层沉积RolltoRollALD原子层沉积快速原子层沉积ALD单原子层沉积ALD氧化物原子层沉积ALD国产原子层沉积系统ThermalALD原子层沉积PEALD原子层沉积PE-ALD原子层沉积PlasmaEnhancedALD原子层沉积等离子体增强ALD原子层沉积等离子体ALD原子层沉积多功能原子层沉积工业级原子层沉积热式原子层沉积系统工业量产及特殊定制原子层沉积系统定制原子层沉积系统欣源科技热式原子层沉积系统(ThermalALD)基本技术参数基片尺寸:4-12英寸可选样品高度:6mm,可选配更高样品选件基片温度:RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件前驱体输运系统:标准2路前驱体管路，可以选配到6路以上载气系统:N2或者Ar沉积模式:连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）可选件:手套箱，大尺寸/多片样品夹具，颗粒包裹夹具，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，客户定制反应腔等沉积均匀性:Al2O3均匀性/−1%电源:50-60Hz,220V/15A交流电源,标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚仪器尺寸:1100X600X1200mm详细信息请联系我们！欣源科技（北京）有限公司等离子体增强原子层沉积系统(PEALD,PlasmaEnhancedALD)基本技术参数:基片尺寸:4,8,12英寸可选基片温度:RT-600℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件前驱体输运系统:标准3路前驱体管路，可以选配到6路以上反应腔:喷淋式等离子体和前驱体进气口,铝制穹顶等离子体扩散腔沉积模式:热沉积模式、等离子增强模式、连续模式TM（FlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）、单面沉积模式TM（SingleProTM）、离子束辅助沉积模式,以上可选等离子体气源:标准3路，可以选配到6路以上等离子体源:ICPremoteplasma500W,更大功率可选基片输运系统:手动,手动/自动Loadlock可选可选件:手套箱，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，单面沉积模式附件,离子束辅助沉积模式附件沉积均匀性:Al2O3均匀性±1%仪器尺寸:1250(L)X800(W)X1800(H)mm详细信息请联系我们！欣源科技（北京）有限公司