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原装进口真空共晶炉价格_质量好行业专用设备加工-韦斯泰科技(深圳)有限公司

  • 产品名:真空共晶炉
  • 产品价格:面议
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产品说明

  85℃/s(更高要求可选)升温3℃/s、降温0.85℃/s(更高要求可选)工艺气体精度控制:±1%±1%温度均匀性:±1%(超过85%加热区域)±1%(超过85%加热区域)甲酸清洗功能:选配选配管道和腔体泄漏率:0*10E-9mbar*l/s0*10E-9mbar*l/s观察窗口:82mm可视窗口82mm可视窗口冷却方式N2N2软件:Windows10+触摸屏微型电脑软件Windows10+触摸屏微型电脑软件正压模块:可选可选真空泵:洁净室用无油低噪音真空泵洁净室用无油低噪音真空泵腔体真空度:5mbar(更高要求可选)5mbar(更高要求可选)设备电源和功率:380V、6Kw380V、16Kw冷水机:可选可选韦斯泰科技SRO系列可编程冷壁真空共晶炉,适用于对空洞率,有高要求的产品焊接,可高精度控制工艺气体和甲酸流量,正压模块,温度均匀性高,可完全替代进口品牌,广泛用于航天、军工、工业激光、光通讯和新能源领域!

   公司是一家以行业专用设备加工为主的企业,主打真空共晶炉,更多产品详详情请拨打电话:13798291680广立 或到访西丽街道松坪山社区高新北二道19号富裕顶大厦5层505。韦斯泰科技(深圳)有限公司期待与您一起合作共赢,在追求低价格高效率,快速度的同时,更注重质量的保证,努力为客户做好每一件产品,做到在成长中求发展,始终保持一种尽善尽美的工作态度,满怀希望和热情的朝着目标努力。

  设备端的显示界面,可直接选择程序,无需重复通过电脑端操作,通过下拉箭头后,直接点击"Start"来执行回流程序。设备外观照片,设备上配有知名品牌BR的触摸屏微电脑(贝加莱)!参数描述:SRO75XXSRO82XX加热板尺寸:215mmx230mmx5mm315mmx315mmx5mm温度范围:Max450℃Max450℃焊接区域高度:100mm(更高要求可选)100mm(更高要求可选)升温/降温速度:升温3℃/s、降温0。


哪里有真空共晶炉_知名行业专用设备加工-韦斯泰科技(深圳)有限公司

  同时真空的存在也使得增加还原性气氛可能性.真空去除空洞在大气环境下,当外界变为真空环境,两者之间的气压差可以让在液态锡膏/焊片中的气泡体积增大,与相邻的气泡合并,从而到达表面排出!是解决对空洞率有严格要求的产品焊接工艺,高可靠性和高稳定性!韦斯泰科技SRO系列可编程冷壁真空共晶炉,适用于对空洞率有要求的产品焊接,可控制工艺气体和甲酸流量,正压模块,温度均匀性高,设备品质达到进口品牌设备的水平,焊接区域高度100mm(更高可选择),工艺气体由质量流量计控制,Max温度450度(更高可选择)适合各种器件的真空回流焊接,可完全替代进口设备,让工艺变得简单化,该系列真空共晶炉让您成为工艺大师!

  真空共晶炉/真空共晶炉(vacuumsolderingsystem)是一种针对高可靠性产品的工艺焊接系统,例如光通讯、激光器件、航空航天,新能源汽车、高可靠性LED和产品退火等行业,真空共晶炉系统主要构成包括:真空系统,还原气氛系统,加热/冷却系统,气体流量控制系统,安全系统,控制系统等组成!真空焊接系统相对于传统的回流焊系统,主要使用真空在锡膏/焊片在液相线以上帮助空洞排出,从而降低空洞率!因为真空系统的存在,可以将空气气氛变成氮气气氛,减少氧化!

原装进口真空共晶炉价格

  85℃/s(更高要求可选)升温3℃/s、降温0.85℃/s(更高要求可选)工艺气体精度控制:±1%±1%温度均匀性:±1%(超过85%加热区域)±1%(超过85%加热区域)甲酸清洗功能:选配选配管道和腔体泄漏率:0*10E-9mbar*l/s0*10E-9mbar*l/s观察窗口:82mm可视窗口82mm可视窗口冷却方式N2N2软件:Windows10+触摸屏微型电脑软件Windows10+触摸屏微型电脑软件正压模块:可选可选真空泵:洁净室用无油低噪音真空泵洁净室用无油低噪音真空泵腔体真空度:5mbar(更高要求可选)5mbar(更高要求可选)设备电源和功率:380V、6Kw380V、16Kw冷水机:可选可选.

  由于助焊剂会污染芯片,在真空回流焊接时大多使用无助焊剂的预成型焊锡片,我们对真空回流焊接的工艺焊接十分了解,在不依靠甲酸等还原气体的同时,依然可以完成高品质的真空回流焊接。参数描述:SRO75XXSRO82XX加热板尺寸:215mmx230mmx5mm315mmx315mmx5mm温度范围:Max450℃Max450℃焊接区域高度:100mm(更高要求可选)100mm(更高要求可选)升温/降温速度:升温3℃/s、降温0!

   韦斯泰科技(深圳)有限公司是一家专注行业专用设备加工的企业,在真空共晶炉领域深耕十几年,对于真空共晶炉,有着敏锐的市场嗅觉,丰富的优化经验,扎实的技术团队。秉承互利互惠,合作双赢的理念,坚持客户至上,信誉的原则。致力于从多渠道,多方位,多平台为客户提供的真空共晶炉服务,并受到了客户的一致好评。

菏泽箱式真空热处理炉企业哪家好
德鲁科的真空热处理炉挺不错的,我们家一直在用
我们一般选择德鲁科的真空熔炼炉
真空箱式炉气体渗碳有什么样的步骤?
如工件不淬火,出炉空冷,则料筐应放在上平台上预冷,待下平台料筐装炉后,再让上平台料筐下降出炉。
检查炉内电阻板,辐射管是否开裂变形,是否水平,炉内抗渗碳砖的完好情况,砖缝漏气情况。
淬火油槽的油加热系统、循环系统、冷却系统正常。油量充足,油中不得有水和碳黑,油循环定向导板应将油流向料管。
在保护气氛中与真空下拉晶有什么不同?
单晶硅的生长可在保护气氛(氩气、氢气等)中,也可在高真空或低真空下进行。在保护气氛下与真空下拉晶不同。(1) 硅的熔化。一些有氧化层的多晶硅料在真空下熔化时,有发生跳硅,甚至出现喷溅的可能。而在氩气气氛中,可以避免发生跳硅,更不可能出现“喷溅”。
高真空下熔料也有它的显著特点,即液面杂质容易挥发干净。采用氩气气氛熔化时,由于液面的杂质挥发较慢,停留在液面附近,漂移不定,对种晶和成晶不利。(2) 电阻率的控制。掺硼单晶硅,无论在氩气气氛中或在髙、低真空下拉晶都一样,电阻率都能得到控制,而掺锑、镓的单晶硅则需要在氩气气氛中拉晶,电阻率才能得到控制。
从制备N型掺磷单晶硅来看,拉制的高阻单晶硅,采用高真空时,纵向电阻率的均匀性较差,单晶硅尾部的电阻率往往偏高。而在低真空下拉晶,电阻率就可以得到改善。对于获得左右的掺磷单晶硅,在高真空下不容易控制电阻率,一般在低真空下就比较容易控制电阻率。对于径向电阻率均匀方面,在保护气氛(氩气、氢气等)中和在高真空或低真空三种情况下拉晶差别不大。
(3) 成品率。在保护气氛(氩气、氢气等)中和低真空下比较容易获得单晶硅,而高真空下获得单晶硅就比较难。


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