随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE电流放大倍数.VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压！PCM大允许耗散功率！封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现!三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图：正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。

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　　集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显！尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要.

　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管！VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异.VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管.a!按材质分:硅管、锗管b.

　　而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理！对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector).

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件!其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关！三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件！三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种！三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件.

　　α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系!α=△Ic/△Ie表达式中的α为交流共基极电流放大倍数.同理α与α1在小信号输入时相差也不大。对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化![3]三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用.

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8550三极管

　　按结构分:NPN、PNP.如图所示：c.按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d.按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e！按工作频率分：低频管、高频管、超频管f!按结构工艺分：合金管、平面管g!按安装方式:插件三极管、贴片三极管特征频率当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作!fT称作增益带宽积，即fT=βfo.若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT!