如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了.因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高！反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况.在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿！如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿！

　　当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流！当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象！PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分!

恢复二极管串联

　　动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比！电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成！所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小!若是超过此值.则单向导电性将受影响！大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

　　由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大.一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级.温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加.击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿!引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性！

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　　稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性.光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管!它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。

　　因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值.高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力！为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值!点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用.

　　在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压！当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通.叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0。1V！硅二极管的正向导通压降约为0。6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0。2~0！3V。反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。