要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源！在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：先假设三极管的某极为“基极”，将黑表笔接在假设基极上，再将红表笔依次接到其余两个电极上，若两次测得的电阻都大(约几K到几十K)，或者都小(几百至几K)，对换表笔重复上述测量，若测得两个阻值相反(都很小或都很大)，则可确定假设的基极是正确的！

s8550三极管测试

　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibn。根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关!三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种!三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件！

　　随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围!hFE电流放大倍数！VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。PCM大允许耗散功率!封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现!三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图：正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大!

　　放大原理发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie!同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic!

　　东莞市青桔子电子科技有限公司坐落于广东省东莞市寮步镇仁居路1号松湖智谷产业园A5栋1602室，是广东东莞寮步镇知名企业，公司业务联系人自然：13580963385， 期待您的来电咨询更多关于三极管相关信息！

　　否则另假设一极为“基极”，重复上述测试，以确定基极!当基极确定后，将黑表笔接基极，红表笔接其它两极若测得电阻值都很少，则该三极管为NPN，反之为PNP！判断集电极C和发射极E，以NPN为例：把黑表笔接至假设的集电极C，红表笔接到假设的发射极E，并用手捏住B和C极，读出表头所示C，E电阻值，然后将红、黑表笔反接重测!若第一次电阻比第二次小，说明原假设成立.理论原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管!

　　α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基极组态放大电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系！α=△Ic/△Ie表达式中的α为交流共基极电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大.对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的较大变化。[3]三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用！