碳化硅是化合物半导体的第三代材料！半导体工业的基础是晶片，晶片制造的核心材料按历史过程分为：第1代(目前广泛使用的高纯度硅)半导体，第二代(化镓、磷化铟)化合物半导体，第三代(碳化硅、氮化镓)化合物半导体！由于碳化硅具有较高的物理性能：高禁带宽度(相当于高的击穿电场和功率密度)、高电导率、高热导率，碳化硅将成为未来半导体芯片制造中很广泛使用的基本材料！碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成！

　　低档次的碳化硅可用做炼钢脱氧剂及铸铁添加剂!在炭素工业中，碳化硅首要用来出产炼铁高炉用砖，如石墨碳化硅、氮化硅结合的碳化硅砖等！在石墨电极出产中，碳化硅还用做耐氧化涂层电极的涂层耐火烧结料的配猜中，以添加涂层对温度急剧改变的承受才能!在特种炭素资料——生物炭的制造中，常以丙烷和三氯甲基硅烷为气体质料，经高温热解反响，在石墨基体上堆积生成含硅热解炭涂层，以添加制品的硬度、强度和耐磨性！涂层中的碳化硅以β-SiC的晶型存在，晶粒尺寸为1μm左右.

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　　此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属!纯碳化硅为无色，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物.晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致！在电气工业中，碳化硅可用做避雷器阀体、硅碳电热元件、远红外线发生器等!在电子工业中，如在工业碳化硅炉内或在工业炉上用特别办法培育出来大片完好的碳化硅单晶体，可作为发光二极管(如晶体灯、数字管灯)的基片;高纯碳化硅晶体是制造耐辐射高温半导体的优*资料！

　　虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅较为稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至今日，这两种型态尚未有商业上之应用.因其2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700°C）[1]，碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件!在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性！由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]！

　　低品级碳化硅（含SiC约85%）是非常好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量！此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒！碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为5级，仅次于金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000°C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）!β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000°C生成，结构如页面附图所示.